一種用于光電器件的多重量子阱結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521107595.7 申請日 -
公開（公告）號 CN205657079U 公開（公告）日 2016-10-19
申請公布號 CN205657079U 申請公布日 2016-10-19
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳銘勝;武良文;陳慶維 申請（專利權(quán)）人 揚州德豪潤達光電有限公司
代理機構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 225002 江蘇省揚州市邗江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)牧羊路八號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種用于光電器件的多重量子阱結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于氮化鎵基光電器件中，該光電器件包括由基板至表層的N型半導(dǎo)體層、多重量子阱層、P型電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層；所述多重量子阱層是由勢壘層和勢阱層交疊而成，在多重量子阱層結(jié)構(gòu)中，最靠近P型半導(dǎo)體層的勢阱層銦組分的厚度小于其它勢阱層，如此可補償最靠近P型半導(dǎo)體層的勢阱層因受電子阻擋層壓電場的影響，改善帶隙傾斜較其它勢阱層大的問題，利用工程調(diào)整方式，以達到有效提高氮化鎵基光電器件的發(fā)光純度。