一種可以提高光效的半導(dǎo)體發(fā)光器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420859558.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN204596827U 公開（公告）日 2015-08-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN204596827U 申請(qǐng)公布日 2015-08-26
分類號(hào) H01L33/22(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王冬雷;金振模;梅勁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤(rùn)達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東秉德律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 225002 江蘇省揚(yáng)州市邗江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)牧羊路八號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種可以提高光效的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：襯底，形成于所述襯底上的N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層；所述N型氮化鎵層表面形成有若干個(gè)間隔布置的凹坑，N型氮化鎵層上單位面積內(nèi)分布的凹坑的面積小于10％。本實(shí)用新型在量子阱生長(zhǎng)前通過引入有規(guī)律分布的凹坑，使得后續(xù)覆蓋的P型氮化鎵層能夠在整個(gè)量子阱區(qū)域提供空穴載流子，從而使空穴能夠均勻的擴(kuò)散至更多的靠近N型氮化鎵層的量子阱，提高發(fā)光效率。