一種用于光電器件的多重量子阱結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510993017.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105514235A 公開（公告）日 2016-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN105514235A 申請(qǐng)公布日 2016-04-20
分類號(hào) H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳銘勝;武良文;陳慶維 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州德豪潤達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東秉德律師事務(wù)所 代理人 楊煥軍
地址 225002 江蘇省揚(yáng)州市邗江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)牧羊路八號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于光電器件的多重量子阱結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于氮化鎵基光電器件中，該光電器件包括由基板至表層的N型半導(dǎo)體層、多重量子阱層、P型電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層；所述多重量子阱層是由勢(shì)壘層和勢(shì)阱層交疊而成，在多重量子阱層結(jié)構(gòu)中，最靠近P型半導(dǎo)體層的勢(shì)阱層銦組分或厚度小于其它勢(shì)阱層，如此可補(bǔ)償最靠近P型半導(dǎo)體層的勢(shì)阱層因受電子阻擋層壓電場(chǎng)的影響，改善帶隙傾斜較其它勢(shì)阱層大的問題，利用工程調(diào)整方式，以達(dá)到有效提高氮化鎵基光電器件的發(fā)光純度。