壓擺率自適應調(diào)整的輸出電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410512518.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104299640B | 公開(公告)日 | 2017-02-22 |
申請公布號 | CN104299640B | 申請公布日 | 2017-02-22 |
分類號 | G11C11/401(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 彭進忠;戴頡;莊志青;職春星 | 申請(專利權)人 | 中芯國際控股有限公司 |
代理機構 | 無錫互維知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 龐聰雅 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)金蝶軟件園晨暉路88號1幢409室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種壓擺率自適應調(diào)整的輸出電路,其包括可調(diào)整預驅動單元、輸出單元、環(huán)形振蕩器和校準電路。所述可調(diào)整預驅動單元包括有連接于其輸出端的多個電容單元以及多個與對應的電容單元串聯(lián)的修調(diào)開關,所述輸出單元包括串聯(lián)的PMOS晶體管和NMOS晶體管,PMOS晶體管和NMOS晶體管的中間節(jié)點與所述輸出單元的輸出端相連,所述可調(diào)整預驅動單元的輸出端與所述輸出單元的PMOS晶體管的柵極或NMOS晶體管的柵極相連,所述環(huán)形振蕩器包括首尾相連成環(huán)的多個反相器,每個反相器包括串聯(lián)的PMOS晶體管和NMOS晶體管,所述校準電路檢測所述環(huán)形振蕩器的振蕩信號的頻率,基于所述振蕩信號的頻率輸出校準信號來調(diào)控各個修調(diào)開關的導通和截止。這樣,可以基于片上CMOS環(huán)形振蕩器輸出的振蕩信號對輸出電路的輸出信號的壓擺率進行調(diào)制,以減少工藝偏差、輸入電壓和溫度對壓擺率的影響。 |
