一種非對(duì)稱高壓芯片式儲(chǔ)能器件及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010184530.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111477470B 公開（公告）日 2021-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN111477470B 申請(qǐng)公布日 2021-06-15
分類號(hào) H01G11/84（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I;H01G11/04（2013.01）I;H01G11/06（2013.01）I;H01G11/26（2013.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海濤;謝巖廷;楊維清;黃海超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川金時(shí)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都環(huán)泰專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李斌
地址 610100 四川省成都市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（龍泉驛區(qū)）南二路2508號(hào)辦公樓（棟）1-5層1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種非對(duì)稱高壓芯片式儲(chǔ)能器件及其制備方法和應(yīng)用，屬于儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域。非對(duì)稱高壓芯片式儲(chǔ)能器件的制備方法包括：將第一掩模覆蓋于硅片表面并加工形成叉指電極形狀的第一區(qū)域和第二區(qū)域，去除第一區(qū)域的第一掩模使硅片表面暴露出正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域，在硅片表面的正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域形成金集流體。將第二掩模分別覆蓋于正極區(qū)域和負(fù)極區(qū)域，噴涂對(duì)應(yīng)沒有覆蓋第二掩模的電極區(qū)域的電極材料，使硅片分別形成正極和負(fù)極。在硅片表面澆注電解質(zhì)材料后封裝制得非對(duì)稱高壓芯片式儲(chǔ)能器件。本申請(qǐng)能夠根據(jù)實(shí)際需求選用不同的電極材料形成正極和負(fù)極，然后根據(jù)計(jì)算匹配正負(fù)電極的質(zhì)量比，制得具有非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的非對(duì)稱高壓芯片式儲(chǔ)能器件。