一種非對稱高壓芯片式儲能器件及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010184530.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111477470A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN111477470A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01G11/84;H01G11/86;H01G11/04;H01G11/06;H01G11/26 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海濤;謝巖廷;楊維清;黃海超 申請（專利權）人 四川金時科技股份有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 付興奇
地址 610000 四川省成都市金牛區(qū)二環(huán)路北一段111號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種非對稱高壓芯片式儲能器件及其制備方法和應用，屬于儲能技術領域。非對稱高壓芯片式儲能器件的制備方法包括：將第一掩模覆蓋于硅片表面并加工形成叉指電極形狀的第一區(qū)域和第二區(qū)域，去除第一區(qū)域的第一掩模使硅片表面暴露出正極區(qū)域和負極區(qū)域，在硅片表面的正極區(qū)域和負極區(qū)域形成金集流體。將第二掩模分別覆蓋于正極區(qū)域和負極區(qū)域，噴涂對應沒有覆蓋第二掩模的電極區(qū)域的電極材料，使硅片分別形成正極和負極。在硅片表面澆注電解質(zhì)材料后封裝制得非對稱高壓芯片式儲能器件。本申請能夠根據(jù)實際需求選用不同的電極材料形成正極和負極，然后根據(jù)計算匹配正負電極的質(zhì)量比，制得具有非對稱結構的非對稱高壓芯片式儲能器件。