一種氮化鎵基半導(dǎo)體光電器件的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710114784.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100546059C 公開(kāi)（公告）日 2009-09-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN100546059C 申請(qǐng)公布日 2009-09-30
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘群峰;林雪嬌;洪靈愿;陳文欣;吳志強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門三安電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明所公開(kāi)的一種氮化鎵基半導(dǎo)體光電器件的制作方法，在n型氮化鎵基半導(dǎo)體層上采用蒸發(fā)或者濺射的方法依次形成Ni/Au/Ti/Au金屬層，用剝離或者化學(xué)蝕刻的方法形成n電極；對(duì)n電極在含有氧氣的氛圍中進(jìn)行400～600℃熱退火處理，使得n電極與n型氮化鎵基半導(dǎo)體層形成合金，n電極中，Ni/Au/Ti金屬層是歐姆接觸層，而最頂層的Au金屬層作為焊墊層。由于該n電極不含低熔點(diǎn)的Al，并且熱退火處理的溫度適中，可以較好地保持電極原有的金相結(jié)構(gòu)，避免給后續(xù)的封裝帶來(lái)困擾；再者，熱退火處理的溫度較為適中，可以將歐姆接觸層與焊墊層一同進(jìn)行熱處理，在保證不會(huì)造成焊墊層金屬變質(zhì)硬化的同時(shí)，避免接觸層與焊墊層分開(kāi)制作，大大簡(jiǎn)化了工藝，提高成品率和降低成本。