銦鎵砷光電探測(cè)器芯片制作的箱式鋅擴(kuò)散方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200410036170.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN100472719C 公開（公告）日 2009-03-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN100472719C 申請(qǐng)公布日 2009-03-25
分類號(hào) H01L21/22(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐之韜;邱樹添 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門三安電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了銦鎵砷光電探測(cè)器芯片制作的箱式鋅擴(kuò)散方法：將鋅擴(kuò)散源和擴(kuò)散晶片放入位于擴(kuò)散管中的石英箱中，經(jīng)抽真空/充氮?dú)庋h(huán)，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣體中進(jìn)行鋅擴(kuò)散，用這種方法獲得的芯片不僅和真空封管擴(kuò)散所獲得的芯片具有同樣的均勻性，重復(fù)性和光電特性，而且工藝簡(jiǎn)單，方便，安全，成本低，適合于大批量生產(chǎn)。