一種基于復(fù)合式低阻緩沖結(jié)構(gòu)的薄膜LED芯片器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710115844.0 申請日 -
公開（公告）號 CN100580965C 公開（公告）日 2010-01-13
申請公布號 CN100580965C 申請公布日 2010-01-13
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳文欣;潘群峰;林雪嬌;洪靈愿;吳志強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 廈門三安電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于復(fù)合式低阻緩沖結(jié)構(gòu)的薄膜LED芯片器件及其制造方法，絕緣緩沖膜包裹于所有金屬結(jié)構(gòu)側(cè)壁，填充于所有非電學(xué)連接區(qū)域，通過在連接GaN基發(fā)光器件與電極化倒裝基板的所有金屬凸點(diǎn)之間填充絕緣緩沖膜，填充厚度略低于或與金屬凸點(diǎn)高度齊平，再通過晶片整面鍵合的方式將GaN基發(fā)光器件晶圓片與電極化倒裝基板整面直接鍵合，使導(dǎo)電支撐厚金屬層金屬凸點(diǎn)與絕緣緩沖膜共同形成本發(fā)明的復(fù)合式低阻緩沖結(jié)構(gòu)，既實(shí)現(xiàn)了GaN基發(fā)光器件與電極化倒裝基板間的電學(xué)連接，又實(shí)現(xiàn)了緩沖層填充，從而降低后續(xù)激光剝離工藝的晶片破裂發(fā)生率，以提高產(chǎn)品良品率，且由于可以對藍(lán)寶石襯底進(jìn)行整面的剝離作業(yè)剝離后的藍(lán)寶石襯底圓片，可被回收再利用，降低生產(chǎn)成本。