一種應用合成分隔法激光剝離GaN基發(fā)光器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710116356.1 申請日 -
公開（公告）號 CN100505351C 公開（公告）日 2009-06-24
申請公布號 CN100505351C 申請公布日 2009-06-24
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳志強;林雪嬌;潘群峰;洪靈愿;陳文欣 申請（專利權）人 廈門三安電子有限公司
代理機構 廈門原創(chuàng)專利事務所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明所公開的一種應用合成分隔法激光剝離GaN基發(fā)光器件的制造方法，采用合成分隔法分離各單元GaN基發(fā)光器件，結合干法蝕刻去除部分GaN基外延層和激光劃開GaN基外延層的方法，可以保證各單元GaN基發(fā)光器件間的絕對分隔，降低激光剝離過程裂縫的產(chǎn)生率，又可以保護器件的性能在激光隔離過程不受破壞；在各單元GaN基發(fā)光器件間預留區(qū)域作為激光剝離犧牲區(qū)，并與單元發(fā)光器件作隔離，避免在激光剝離過程中激光束交疊照射產(chǎn)生的裂縫延伸并破壞其發(fā)光器件，提高激光剝離后發(fā)光器件的成品率；激光剝離犧牲區(qū)被一金屬環(huán)裹繞，激光剝離后，犧牲區(qū)中的外延層殘骸可以容易隨金屬環(huán)的蝕刻而被一并去除。