n型CVD共摻雜金剛石薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610023442.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1804115A 公開(kāi)（公告）日 2006-07-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN1804115A 申請(qǐng)公布日 2006-07-19
分類(lèi)號(hào) C23C16/22(2006.01);C23C16/52(2006.01) 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李榮斌;徐建輝 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海昂電實(shí)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海交達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 上海電機(jī)學(xué)院;上海昂電實(shí)業(yè)有限公司;上海市昂電機(jī)電科技發(fā)展有限公司
地址 200245上海市江川路1201號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種材料技術(shù)領(lǐng)域的n型CVD共摻雜金剛石薄膜的制備方法。本發(fā)明以液態(tài)丙酮為碳源，固態(tài)三氧化二硼和液態(tài)二甲基二硫分別為p型硼原子和n型硫原子的摻雜源，采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)將p型硼原子和n型硫原子兩種摻雜原子同時(shí)摻入到金剛石晶體中獲得共摻雜n型CVD金剛石薄膜：首先對(duì)硅襯底進(jìn)行預(yù)處理，然后置于微波加熱裝置中的反應(yīng)室中，反應(yīng)室抽真空后充入氫氣，由反應(yīng)室的頂部饋入碳源氣體以及p型和n型摻雜源氣體，在微波作用下產(chǎn)生氫等離子體、活性氫原子和含碳、硼、硫的活性基團(tuán)，通過(guò)調(diào)節(jié)氣體流量來(lái)控制反應(yīng)氣氛的壓力和摻雜原子的濃度，得到薄膜。本發(fā)明綜合提高摻雜薄膜的電導(dǎo)率、電子遷移率和載流子濃度。