一種氮化鎵基功率開關(guān)器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121983738.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN215644463U | 公開（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215644463U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
| 分類號(hào) | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐迪;孫偉;黃凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 芯威半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京業(yè)騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 馬威 |
| 地址 | 518107廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道村第二工業(yè)區(qū)同富裕工業(yè)園7號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種氮化鎵基功率開關(guān)器件，包括包裝殼體，包裝殼體包括安裝底板、安裝中框和安裝頂板，安裝底板和安裝頂板之間還安裝有位于安裝中框中心處的氮化鎵基芯片，氮化鎵基芯片上設(shè)置有延伸出安裝中框的芯片連接引腳，安裝底板和安裝頂板均延伸出安裝中框，且與安裝中框之間形成散熱凹槽，安裝中框上還設(shè)置有位于散熱凹槽內(nèi)的散熱組件。該氮化鎵基功率開關(guān)器件，通過頂導(dǎo)熱板和側(cè)導(dǎo)熱板可以將氮化鎵基芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至頂散熱片和側(cè)散熱片上，然后通過呈線性陣列分布的頂散熱片和側(cè)散熱片將熱量散發(fā)掉，同時(shí)可以由安裝底板和安裝頂板將來自頂部和底部的灰塵遮擋住，防止灰塵粘附在頂散熱片和側(cè)散熱片上。 |
