一種納米銀光阻劑復(fù)合材料及其制備銀導(dǎo)線或電感器的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310411235.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103488049A 公開（公告）日 2014-01-01
申請公布號 CN103488049A 申請公布日 2014-01-01
分類號 G03F7/004(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 李偉;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權(quán)）人 深圳市邦得凌半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 任廣輔;李偉;深圳市邦得凌觸控顯示技術(shù)有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗湖渡假村職工住宅4#205
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種納米銀光阻劑復(fù)合材料及其制備銀導(dǎo)線或電感器的方法,其中，納米銀光阻劑復(fù)合材料，由如下重量份的原料制備而成：銀60-80份、高分子助劑5-20份、光固化樹脂5-20份、光引發(fā)劑0.25-2份、有機溶劑10-20份。本發(fā)明所述的納米銀光阻劑復(fù)合材料，在制備電感單片的銀導(dǎo)線時，可以替代印刷銀漿，制備一種線輻寬度達(dá)到20-30um精度；邊緣精度達(dá)到2um的銀導(dǎo)線。本發(fā)明通過UV光刻及顯影工藝，在鐵氧體/陶瓷體基片上制備出20-40um精度的單片。再經(jīng)過：疊層-層壓-切割-排膠-燒結(jié)-倒角-封端-電鍍-測試-編帶等工藝最終可制備出Q值高并體積小的新型高精微電感器產(chǎn)品。