等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法及晶圓刻蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111186794.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN113936989A 公開(公告)日 2022-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113936989A 申請(qǐng)公布日 2022-01-14
分類號(hào) H01J37/32(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張賢亮;劉金軍 申請(qǐng)(專利權(quán))人 合肥頎中科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 段友強(qiáng)
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)鳳里街166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法及晶圓刻蝕方法,其中,等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法包括如下步驟:在反應(yīng)腔內(nèi)的晶圓承載臺(tái)上放置鋁板;采用等離子體射頻技術(shù)將充填在反應(yīng)腔內(nèi)的惰性氣體電離成等離子體;等離子體對(duì)所述鋁板產(chǎn)生轟擊以形成鋁原子;鋁原子在反應(yīng)腔的內(nèi)壁上附著并形成鋁膜。本發(fā)明通過在反應(yīng)腔內(nèi)電離惰性氣體形成對(duì)鋁板轟擊的等離子體以在鋁板上電離出鋁原子,在鋁原子電離后附著沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上形成鋁膜對(duì)反應(yīng)副產(chǎn)物的遮蓋,避免了反應(yīng)副產(chǎn)物對(duì)晶圓刻蝕的影響,由此延長(zhǎng)了PM周期,提高了設(shè)備利用率及產(chǎn)能,降低了生產(chǎn)成本。