背照式高速光電二極管接收芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710024170.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106784118B 公開（公告）日 2020-03-17
申請公布號 CN106784118B 申請公布日 2020-03-17
分類號 H01L31/102;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥偉;陸一峰;劉格;劉勝宇;劉宏亮 申請（專利權(quán)）人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京友聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
地址 518071 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種背照式高速光電二極管接收芯片及其制作方法，芯片包括：外延層，包括P型臺面、N型臺面、磷化銦襯底；P型臺面包括銦砷化鎵吸收層、磷砷化鎵銦漸變層、反射鏡面層、磷化銦頂層、銦砷化鎵接觸層；N型臺面包括磷化銦緩沖層；其中，磷化銦襯底上依次生長磷化銦緩沖層，銦砷化鎵吸收層、磷砷化鎵銦漸變層、反射鏡面層、磷化銦頂層、銦砷化鎵接觸層；集成微透鏡，設(shè)置于磷化銦襯底的一側(cè)，且集成微透鏡與磷化銦緩沖層在磷化銦襯底的不同側(cè)。本發(fā)明能夠在確保芯片擴(kuò)散源區(qū)面積保持不變的情況下，擴(kuò)展芯片的光吸收面積，解決芯片擴(kuò)散源區(qū)面積小所導(dǎo)致的耦合效率低的問題，以及加入反射鏡面層能夠使芯片的量子效率得到改善。