一種背入式雪崩光電探測器芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810873558.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110611000A 公開（公告）日 2019-12-24
申請公布號 CN110611000A 申請公布日 2019-12-24
分類號 H01L31/0224;H01L31/107;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥偉;劉宏亮;鄒顏;劉格 申請（專利權(quán)）人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
地址 518071 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種背入式APD芯片及其制作方法，本發(fā)明技術(shù)方案在APD芯片的背面設(shè)置通光窗口，APD芯片為背入式芯片，可以通過位于背面的通光窗口檢測光信號。相對于傳統(tǒng)的正面檢測光信號的方式，本發(fā)明技術(shù)方案中位于背面的第二電極可以僅預(yù)留通光窗口，完全覆蓋其他背面區(qū)域，而第二電極不透光，可以完全防止背面通光窗口之外的其他區(qū)域的雜光入射，從而可以避免環(huán)境噪聲的影響，保證APD芯片可以正確識別單光子信號光。