Be離子擴(kuò)散保護(hù)環(huán)雪崩光電探測器芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810873563.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110611011A 公開（公告）日 2019-12-24
申請公布號 CN110611011A 申請公布日 2019-12-24
分類號 H01L31/107;H01L31/0352 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥偉;劉宏亮;鄒顏;劉格 申請（專利權(quán)）人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
地址 518071 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Be離子擴(kuò)散保護(hù)環(huán)APD芯片及其制作方法，所述外延功能層中，所述第一區(qū)域包括中心區(qū)域以及包圍所述中心區(qū)域的擴(kuò)散保護(hù)環(huán)區(qū)域；所述中心區(qū)域內(nèi)設(shè)置有擴(kuò)散區(qū)，所述擴(kuò)散保護(hù)環(huán)區(qū)域設(shè)置有Be離子注入擴(kuò)散保護(hù)環(huán)。通過所述Be離子注入擴(kuò)散保護(hù)環(huán)對擴(kuò)散區(qū)的邊緣電場進(jìn)行弱化，通過離子注入工藝形成Be離子注入擴(kuò)散保護(hù)環(huán)，一方面可以有效避免擴(kuò)散區(qū)的邊緣提前擊穿問題，另外，Be元素的離子注入與Zn元素的擴(kuò)散工藝完全不同，離子注入主要采用高能離子注入方式，一旦注入完成，其摻雜元素的注入深度不會(huì)在后續(xù)高溫?cái)U(kuò)散工藝下發(fā)生變化，離子注入工藝與擴(kuò)散工藝可以完全獨(dú)立控制，互不影響，可以提高制作工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性，提高產(chǎn)品良率。