一種光刻方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011622052.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112666800A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112666800A 申請公布日 2021-04-16
分類號 G03F7/20 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 張續(xù)朋;楊彥偉;鄒顏 申請（專利權(quán)）人 深圳市芯思杰聯(lián)邦國際科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 深圳智匯遠見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518071 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光刻方法，屬于芯片加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的光刻方法包括晶片，晶片包括第一臺面與第二臺面，第一臺面的高度大于第二臺面的高度，所述方法包括：在晶片表面均勻涂覆光刻膠，形成光刻膠膜層；在光刻膠膜層的上方設(shè)置第一掩膜版，在第一掩膜版的上方向晶片表面進行第一曝光，第一曝光在第一預(yù)設(shè)曝光量下進行；去除第一掩膜版；在光刻膠膜層的上方設(shè)置第二掩膜版，在第二掩膜版的上方向晶片表面進行第二曝光，第二曝光在第二預(yù)設(shè)曝光量下進行；其中，第一掩膜版上設(shè)置有與第一臺面對應(yīng)的圖形，第二掩膜版上設(shè)置有與第二臺面對應(yīng)的圖形。本發(fā)明的光刻方法可以有效解決高低臺式芯片光刻工藝中的曝光不均勻的問題，提高光刻曝光的質(zhì)量。