一種磁控濺射鍍膜裝置、納米多層膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210151152.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102677009A 公開（公告）日 2012-09-19
申請公布號 CN102677009A 申請公布日 2012-09-19
分類號 C23C14/35(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 金攻;涂江平;李玲玲;王剛;王美娜 申請（專利權(quán)）人 中奧匯成（蘇州）科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京維澳專利代理有限公司 代理人 北京中奧匯成生物材料科技有限公司;中奧匯成科技股份有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)西環(huán)南路18號B座431室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少包括真空鍍膜室、濺射靶、真空鍍膜室底座上的轉(zhuǎn)架臺和轉(zhuǎn)架臺上的工件架，以及驅(qū)動轉(zhuǎn)架臺繞轉(zhuǎn)架臺的中心軸轉(zhuǎn)動的第一轉(zhuǎn)動系統(tǒng)；所述濺射靶設(shè)置在轉(zhuǎn)架臺周圍并與轉(zhuǎn)架臺垂直，所述濺射靶包括兩個第一濺射靶及一個第二濺射靶，所述濺射靶位于與轉(zhuǎn)架臺同心的圓周上，兩個所述第一濺射靶之間的圓弧為180-240度，所述第二濺射靶等分兩個第一濺射靶之間的圓?。凰鲛D(zhuǎn)架臺上固定設(shè)置有穿過轉(zhuǎn)架臺表面的隔板，在垂直于轉(zhuǎn)架臺方向上，所述隔板的兩端均超出所述濺射靶的兩端。該裝置結(jié)構(gòu)簡單，對工藝的控制簡單，解決了納米多層膜的制備，適宜于工業(yè)化。