一種磁控濺射鍍膜裝置、納米多層膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210151152.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102677009B 公開(kāi)（公告）日 2014-05-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN102677009B 申請(qǐng)公布日 2014-05-28
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 金攻;涂江平;李玲玲;王剛;王美娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中奧匯成（蘇州）科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京維澳專利代理有限公司 代理人 馬佑平
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)西環(huán)南路18號(hào)B座431室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少包括真空鍍膜室、濺射靶、真空鍍膜室底座上的轉(zhuǎn)架臺(tái)和轉(zhuǎn)架臺(tái)上的工件架，以及驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)架臺(tái)繞轉(zhuǎn)架臺(tái)的中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)的第一轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)；所述濺射靶設(shè)置在轉(zhuǎn)架臺(tái)周圍并與轉(zhuǎn)架臺(tái)垂直，所述濺射靶包括兩個(gè)第一濺射靶及一個(gè)第二濺射靶，所述濺射靶位于與轉(zhuǎn)架臺(tái)同心的圓周上，兩個(gè)所述第一濺射靶之間的圓弧為180-240度，所述第二濺射靶等分兩個(gè)第一濺射靶之間的圓弧；所述轉(zhuǎn)架臺(tái)上固定設(shè)置有穿過(guò)轉(zhuǎn)架臺(tái)表面的隔板，在垂直于轉(zhuǎn)架臺(tái)方向上，所述隔板的兩端均超出所述濺射靶的兩端。該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)工藝的控制簡(jiǎn)單，解決了納米多層膜的制備，適宜于工業(yè)化。