一種HTCVD法碳化硅晶體生長(zhǎng)控制系統(tǒng)及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111059835.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113502542A 公開（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113502542A 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉欣宇;袁振洲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京源點(diǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 羅超;黃啟兵
地址 225000江蘇省南京市江北新區(qū)中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2189室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的一種HTCVD法碳化硅晶體生長(zhǎng)控制方法及系統(tǒng)。該控制方法在碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中，通過維持生長(zhǎng)爐內(nèi)每個(gè)階段的溫度，并調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的進(jìn)氣量來實(shí)現(xiàn)對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)速率的控制；同時(shí)，通過實(shí)時(shí)獲取晶體圖像來計(jì)算出晶體直徑，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體擴(kuò)徑生長(zhǎng)階段的晶體直徑的實(shí)時(shí)監(jiān)控，并結(jié)合調(diào)整提拉旋轉(zhuǎn)桿的提升和旋轉(zhuǎn)參數(shù)，使得晶體在預(yù)計(jì)時(shí)間內(nèi)達(dá)到目標(biāo)直徑。該控制方法可以實(shí)時(shí)監(jiān)控晶體生長(zhǎng)情況，并通過設(shè)定程序自動(dòng)反饋調(diào)節(jié)，使得晶體各階段生長(zhǎng)更符合預(yù)期情況，提高了晶體生產(chǎn)的產(chǎn)品良率。