一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020309250.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211771662U | 公開（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211771662U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-27 |
| 分類號(hào) | C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉欣宇;袁振洲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 225000江蘇省揚(yáng)州市儀征市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)閩泰大道9號(hào)A5棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置。該種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置包括：底板；外套筒，外套筒設(shè)置于底板上端；內(nèi)套筒，內(nèi)套筒設(shè)置于底板上端，內(nèi)套筒還設(shè)置于外套筒內(nèi)部；上蓋，上蓋設(shè)置于外套筒與內(nèi)套筒上端，上蓋與底板配合使得外套筒與內(nèi)套筒之間形成密封的腔室一、使得內(nèi)套筒的內(nèi)部形成密封的腔室二；電感線圈，電感線圈環(huán)繞內(nèi)套筒并設(shè)置于腔室一中，抽真空裝置，抽真空裝置與腔室一及腔室二連通。通過內(nèi)套筒與外套筒形成雙層密封結(jié)構(gòu)，提高了腔室二中環(huán)境的穩(wěn)定性，更有利于晶體的生長(zhǎng)，并且通過抽真空裝置能夠進(jìn)一步將腔室二泄漏致腔室一中的氣體排出，減少了氣體對(duì)環(huán)境的影響。?? |
