一種無籽晶碳化硅晶體生長的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010388304.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111501101A 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN111501101A 申請公布日 2020-08-07
分類號 C30B29/36;C30B23/00 分類 -
發(fā)明人 劉欣宇;袁振洲 申請（專利權(quán)）人 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司
地址 225000 江蘇省揚州市儀征市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)閩泰大道9號A5棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種無籽晶碳化硅晶體生長的方法，其特征在于，所述方法包括：在石墨片上加工出孔洞，將碳化硅顆粒置于所述石墨片上，然后固定在裝有碳化硅粉料的石墨坩堝頂部；將所述石墨坩堝置于單晶爐中進行晶體生長程序；第一階段為高壓低溫，促使所述碳化硅顆粒沿所述孔洞方向軸向生長；第二階段為低壓高溫，促使所述碳化硅沿垂直于所述石墨孔洞方向徑向生長，最終形成碳化硅晶體。本發(fā)明成功解決了生產(chǎn)過程中(1)需要籽晶、成本高、晶體尺寸受限；(2)籽晶粘接技術(shù)和工藝復(fù)雜、影響晶體質(zhì)量的問題。去除了常規(guī)工藝中工藝最復(fù)雜的粘接工藝，以及籽晶，大大降低了成本，提高了生產(chǎn)效率，得到大尺寸碳化硅晶體。