一種用于晶體材料的晶型與缺陷的檢測(cè)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020897105.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213041754U 公開(kāi)（公告）日 2021-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN213041754U 申請(qǐng)公布日 2021-04-23
分類號(hào) G01N21/95 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 袁振洲;劉欣宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王佳妹
地址 225000 江蘇省揚(yáng)州市儀征市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)閩泰大道9號(hào)A5棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于材料檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種用于晶體材料的晶型與缺陷的檢測(cè)裝置，包括：工作面，其上設(shè)有工作臺(tái)，用于放置待檢測(cè)的晶體；外罩，呈倒置的U型，其扣蓋在所述工作面上并與其形成密閉的空腔；光源，設(shè)置于所述密閉的空腔內(nèi)，用于直射在所述晶體上；圖像采集器，設(shè)置于所述外罩外部頂端且位于所述晶體的上方；和圖像處理設(shè)備，設(shè)置于所述密閉的空腔外且與所述圖像采集器相連接。本申請(qǐng)相比于常用的高分辨透射電鏡法、光吸收法和Raman光譜法三種鑒別晶體多型的方法，具有對(duì)樣品無(wú)損檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)，也不需要特殊處理，快速判斷，且檢測(cè)裝置成本大大降低，在一定的精度要求下，能達(dá)到最佳性價(jià)比。