一種用于晶體材料的晶型與缺陷的檢測裝置及檢測方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010447076.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111458349A | 公開（公告）日 | 2020-07-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111458349A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-28 |
| 分類號(hào) | G01N21/95(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 袁振洲;劉欣宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 225000江蘇省揚(yáng)州市儀征市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)閩泰大道9號(hào)A5棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于材料檢測技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種用于晶體材料的晶型與缺陷的檢測裝置，包括：工作面，其上設(shè)有工作臺(tái)，用于放置待檢測的晶體；外罩，呈倒置的U型，其扣蓋在所述工作面上并與其形成密閉的空腔；光源，設(shè)置于所述密閉的空腔內(nèi)，用于直射在所述晶體上；圖像采集器，設(shè)置于所述外罩外部頂端且位于所述晶體的上方；和圖像處理設(shè)備，設(shè)置于所述密閉的空腔外且與所述圖像采集器相連接。本申請(qǐng)相比于常用的高分辨透射電鏡法、光吸收法和Raman光譜法三種鑒別晶體多型的方法，具有對(duì)樣品無損檢測的優(yōu)點(diǎn)，也不需要特殊處理，快速判斷，且檢測裝置成本大大降低，在一定的精度要求下，能達(dá)到最佳性價(jià)比。?? |
