一種晶體與晶體托的分離方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010574084.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111690986B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請公布號 | CN111690986B | 申請公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號 | C30B33/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉欣宇;袁振洲 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王佳妹 |
| 地址 | 225000江蘇省揚州市儀征市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)閩泰大道9號A5棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種晶體與晶體托的分離方法，其特征在于，將需要分離的晶體及與其固定的晶體托放入高溫氧化爐中，向所述高溫氧化爐中通入含氧氣體，進行碳氧化反應(yīng)，即可將晶體與晶體托分離。本申請?zhí)峁┑木w與晶體托的分離方法，利用高溫將固態(tài)石墨氧化為氣態(tài)的二氧化碳，從而成功分離生長后的晶體和石墨。本申請的晶體與晶體托的分離方法簡單易行，成本低。采用非機械方法分離晶體與晶體托，減少了傳統(tǒng)方法所帶來的風(fēng)險。本申請的分離方法對晶體自身無損，簡單有效。?? |
