用于光收發(fā)器件抗干擾的半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610802103.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106252389A 公開（公告）日 2016-12-21
申請公布號 CN106252389A 申請公布日 2016-12-21
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H04B10/40(2013.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白昀 申請（專利權(quán)）人 飛昂通訊科技南通有限公司
代理機構(gòu) 北京律恒立業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 飛昂通訊科技南通有限公司;飛昂創(chuàng)新科技南通有限公司
地址 226000 江蘇省南通市長圓路1號益興大廈1501-1504室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于光收發(fā)器件抗干擾的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：自下而上設(shè)置的背側(cè)金屬化層、p++承載晶圓層、P型外延層、隔離層以及金屬層；背側(cè)金屬化層作為襯底，其上形成p++承載晶圓層，p++承載晶圓層上形成P型外延層，在P型外延層和隔離層上形成深硅通孔和N型重?fù)诫s槽、P型重?fù)诫s槽，金屬層形成于隔離層之上；所述半導(dǎo)體器件包括至少兩條N型重?fù)诫s槽、兩條P型重?fù)诫s槽和數(shù)個深硅通孔，其中數(shù)個深硅通孔分成至少兩排分布，N型重?fù)诫s槽和P型重?fù)诫s槽相間排列在深硅通孔的兩側(cè)。