用于光收發(fā)器件抗干擾的半導(dǎo)體器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201621040519.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN205984995U | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-02-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN205984995U | 申請(qǐng)公布日 | 2017-02-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H04B10/40(2013.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 白昀 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 飛昂通訊科技南通有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律恒立業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 飛昂通訊科技南通有限公司;飛昂創(chuàng)新科技南通有限公司 |
| 地址 | 226000 江蘇省南通市長(zhǎng)圓路1號(hào)益興大廈1501-1504室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種用于光收發(fā)器件抗干擾的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：自下而上設(shè)置的背側(cè)金屬化層、p++承載晶圓層、P型外延層、隔離層以及金屬層；背側(cè)金屬化層作為襯底，其上形成p++承載晶圓層，p++承載晶圓層上形成P型外延層，在P型外延層和隔離層上形成深硅通孔和N型重?fù)诫s槽、P型重?fù)诫s槽，金屬層形成于隔離層之上；所述半導(dǎo)體器件包括至少兩條N型重?fù)诫s槽、兩條P型重?fù)诫s槽和數(shù)個(gè)深硅通孔，其中數(shù)個(gè)深硅通孔分成至少兩排分布，N型重?fù)诫s槽和P型重?fù)诫s槽相間排列在深硅通孔的兩側(cè)。 |
