一種SplitGate結(jié)構(gòu)、PowerMOS器件及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010193258.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113497122A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113497122A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭遠程;石新歡 申請（專利權(quán)）人 和艦芯片制造（蘇州）股份有限公司
代理機構(gòu) 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張濤
地址 215025江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星華街333號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Split Gate結(jié)構(gòu)，包含由溝槽底部向上垂直分布于溝槽內(nèi)的第一多晶硅、特征氧化物和第二多晶硅，特征氧化物上表面中部高處與兩側(cè)低處的高度差小于該Split Gate結(jié)構(gòu)有效改善了breakdown和IGSS性能。本發(fā)明同時提供一種具有該Split Gate結(jié)構(gòu)的Power MOS器件以及該Split Gate結(jié)構(gòu)的制作方法。