一種改善柵極氧化層均勻度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010216931.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113451119A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號(hào) CN113451119A 申請公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓長安;朱東亮;宋康 申請（專利權(quán)）人 和艦芯片制造（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊帆
地址 215025江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星華街333號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）提供已制成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基底；（2）通過熱氧化的方式在所述半導(dǎo)體基底上生長第一熱氧化層；（3）通過高溫氧化的方式在所述第一熱氧化層上沉積第二沉積氧化層，從而形成目標(biāo)柵極氧化層；（4）對所述目標(biāo)柵極氧化層進(jìn)行退火處理以得到最終柵極氧化層。本發(fā)明提供的改善柵極氧化層均勻度方法能夠避免MOS器件從淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)拐角處擊穿，而且能夠打破柵極氧化層厚度限制，這在很大程度上可以有效地改善器件性能及可靠性。