一種提高M(jìn)OCVD生長(zhǎng)VCSEL外延膜厚均勻性的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910836752.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110484896A 公開(kāi)（公告）日 2019-11-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN110484896A 申請(qǐng)公布日 2019-11-22
分類(lèi)號(hào) C23C16/455;C23C16/52;H01S5/183 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 龔平;吳旗召;夏天文 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 西安唐晶量子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710119 陜西省西安市高新區(qū)上林苑一路15號(hào)B棟一層B-104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高M(jìn)OCVD生長(zhǎng)VCSEL外延膜厚均勻性的方法，屬于半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)領(lǐng)域，該方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情況下，當(dāng)MOCVD生長(zhǎng)的VCSEL外圈膜厚大于內(nèi)圈膜厚時(shí)，通過(guò)增大流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的進(jìn)氣孔043載氣流量，使得內(nèi)圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高內(nèi)圈生長(zhǎng)速率。當(dāng)內(nèi)圈膜厚大于外圈膜厚時(shí)，通過(guò)減小流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的進(jìn)氣孔043的載氣流量，使得外圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高外圈生長(zhǎng)速率，通過(guò)本發(fā)明提供方法，可以解決外延片內(nèi)外圈膜厚不均勻問(wèn)題，提升外延片良率。