一種提高M(jìn)OCVD生長(zhǎng)VCSEL外延膜厚均勻性的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910836752.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110484896B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110484896B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 龔平;吳旗召;夏天文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710119陜西省西安市高新區(qū)上林苑一路15號(hào)B棟一層B-104室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高M(jìn)OCVD生長(zhǎng)VCSEL外延膜厚均勻性的方法，屬于半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)領(lǐng)域，該方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情況下，當(dāng)MOCVD生長(zhǎng)的VCSEL外圈膜厚大于內(nèi)圈膜厚時(shí)，通過(guò)增大流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的第三進(jìn)氣孔載氣流量，使得內(nèi)圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高內(nèi)圈生長(zhǎng)速率。當(dāng)內(nèi)圈膜厚大于外圈膜厚時(shí)，通過(guò)減小流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的第三進(jìn)氣孔的載氣流量，使得外圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高外圈生長(zhǎng)速率，通過(guò)本發(fā)明提供方法，可以解決外延片內(nèi)外圈膜厚不均勻問(wèn)題，提升外延片良率。?? |
