一種提高M(jìn)OCVD生長VCSEL外延膜厚均勻性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910836752.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110484896B 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN110484896B 申請公布日 2021-05-28
分類號 C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 龔平;吳旗召;夏天文 申請（專利權(quán)）人 西安唐晶量子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710119陜西省西安市高新區(qū)上林苑一路15號B棟一層B-104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高M(jìn)OCVD生長VCSEL外延膜厚均勻性的方法，屬于半導(dǎo)體材料生長領(lǐng)域，該方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情況下，當(dāng)MOCVD生長的VCSEL外圈膜厚大于內(nèi)圈膜厚時(shí)，通過增大流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的第三進(jìn)氣孔載氣流量，使得內(nèi)圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高內(nèi)圈生長速率。當(dāng)內(nèi)圈膜厚大于外圈膜厚時(shí)，通過減小流經(jīng)MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的第三進(jìn)氣孔的載氣流量，使得外圈的Ⅲ族源濃度提高，從而提高外圈生長速率，通過本發(fā)明提供方法，可以解決外延片內(nèi)外圈膜厚不均勻問題，提升外延片良率。??