一種具有電流阻擋層的氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010201845.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111261762A 公開（公告）日 2020-06-09
申請公布號 CN111261762A 申請公布日 2020-06-09
分類號 H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔平;吳旗召 申請（專利權(quán)）人 西安唐晶量子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710119陜西省西安市高新區(qū)上林苑一路15號B棟一層B-104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有電流阻擋層的氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，包括：位于底層的導(dǎo)電襯底；位于導(dǎo)電襯底表面第二焊接層；位于第二焊接層表面的第一焊接層；位于第一焊接層表面的擴(kuò)散阻擋層；位于擴(kuò)散阻擋層表面的鎳銀反射層；位于擴(kuò)散阻擋層表面的Al層；位于鎳銀反射層和Al層表面的氮化鎵基發(fā)光外延層；位于發(fā)光外延層表面的n電極，Al金屬層位于n電極下方的投影區(qū)，Al金屬層作為電流阻擋層改變電流注入，提高發(fā)光效率。??