一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110836421.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113594295A 公開（公告）日 2021-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113594295A 申請(qǐng)公布日 2021-11-02
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳黑晶光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 518101廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道大浪社區(qū)裕安二路362號(hào)大家好廣場(chǎng)廠房B棟502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于包括如下步驟：S100、選用硅片作為電池的硅基片，且對(duì)該硅基片的正面和背面進(jìn)行制絨或拋光處理；S200、在硅基片的正面和背面制成第一氧化硅鈍化層，且在該第一氧化硅鈍化層上形成多晶硅層；S300、在多晶硅層上進(jìn)行N型原位摻雜處理生成N型摻雜多晶硅鈍化層；S400、在N型摻雜多晶硅鈍化層上形成氧化保護(hù)層。本發(fā)明給了一種用于制作太陽(yáng)能電池形成結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法能良好地在硅基片上形成各層狀結(jié)構(gòu)，正反面隧穿鈍化接觸的復(fù)合多晶硅鈍化層，制備出的硅底電池開路電壓高，尤其適用于多結(jié)疊層太陽(yáng)電池制備，光電轉(zhuǎn)換效率更高。