一種鈣鈦礦晶硅疊層太陽(yáng)能電池制作方法及電池結(jié)構(gòu)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110835841.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113690340A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-23 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113690340A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-23 |
分類號(hào) | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216;H01L27/30 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳黑晶光電技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李俊 |
地址 | 518101 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道大浪社區(qū)裕安二路362號(hào)大家好廣場(chǎng)廠房B棟502 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種鈣鈦礦晶硅疊層太陽(yáng)能電池制作方法,包括如下步驟:S100、對(duì)P型硅片的底部表面進(jìn)行制絨,頂部表面進(jìn)行制絨或者拋光,形成硅片基底;S200、采用包括但不限于熱生長(zhǎng)法,原子沉積法或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述硅片基底底部表面制成底部鈍化層,并通過(guò)包括但不限于激光刻蝕開(kāi)孔的方法對(duì)底部鈍化層進(jìn)行開(kāi)孔,形成底電極開(kāi)孔鈍化層。還包括方法制作的電池結(jié)構(gòu)。本發(fā)明直接采用雙面鈍化的且可以獨(dú)立作為太陽(yáng)能電池使用的電池結(jié)構(gòu),同時(shí)具有有效的重?fù)诫s復(fù)合層,以形成整體的電池結(jié)構(gòu),并依據(jù)這種結(jié)構(gòu)提供結(jié)構(gòu)的制作方法,精良高效;本方案形成的電池結(jié)構(gòu)開(kāi)路電壓高、制備成本低廉,光電效率高。 |
