一種高倍率硅碳負(fù)極微球的制備方法及高倍率硅碳負(fù)極微球

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110271177.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113036109A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113036109A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡志鵬;黃向東;裴鋒 申請（專利權(quán)）人 廣州巨灣技研有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 苗苗
地址 510000 廣東省廣州市南沙區(qū)橫瀝鎮(zhèn)明珠一街1號310房—J016（僅限辦公）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高倍率硅碳負(fù)極微球的制備方法及高倍率硅碳負(fù)極微球，微球由納米硅顆粒、內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)、外部致密碳層構(gòu)成，納米硅顆粒負(fù)載于內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上，納米硅顆粒和導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的表面都被一層致密的碳層所包覆，微球上還存在模板刻蝕后處存在的孔洞。制備方法包括以納米硅、碳材料、模板劑、和粘結(jié)劑為原料混合，噴霧造粒，熱處理，冷卻，除去模板，CVD包碳等步驟。該結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)提供了優(yōu)良的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)也可作為硅體積變化的緩沖基體，表面包覆的致密碳層可以進(jìn)一步穩(wěn)定材料結(jié)構(gòu)和提高導(dǎo)電性，模板刻蝕留下的孔洞有利于電解液的浸潤和鋰離子在微球內(nèi)部的傳導(dǎo)，從而改善了材料的充放電倍率性能。