具有高靜電防護(hù)能力的二極管及其形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910509233.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112086501A | 公開（公告）日 | 2020-12-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112086501A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王黎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 彩優(yōu)微電子（昆山）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 彩優(yōu)微電子（昆山）有限公司 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)達(dá)爾文路88號(hào)11號(hào)2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種具有高靜電防護(hù)能力的二極管及其形成方法，具有高靜電防護(hù)能力的二極管包含：具有第一導(dǎo)電類型的硅基底層、形成于硅基底層中的多個(gè)第一溝槽與多個(gè)第二溝槽、多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與具有第二導(dǎo)電類型的多晶硅層。淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)分別設(shè)置于第一溝槽中以填滿第一溝槽。多晶硅層共形地形成于第二溝槽的表面上。本揭露透過(guò)使用溝槽結(jié)構(gòu)，并在溝槽結(jié)構(gòu)上形成多晶硅層來(lái)做為二極管的電極，以提高二極管自身的電流耐受能力。?? |
