一種硅襯底上3C碳化硅材料外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111118759.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114038733A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114038733A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L21/02（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫正欣;和巍巍;汪之涵;鄭澤東;喻雙柏 申請（專利權(quán)）人 基本半導(dǎo)體（南京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號12幢-424
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅襯底上3C碳化硅材料外延生長方法，選擇商業(yè)化的硅襯底并清洗；在硅襯底正面涂覆光刻膠，經(jīng)光刻、顯影、堅(jiān)膜后刻蝕以形成刻蝕道；沉積SiO2填充刻蝕道，并使晶片表面平坦化；使用H2氣體高溫刻蝕硅襯底結(jié)構(gòu)表面，去除晶片表面損傷層；在外延爐中通入H2氣體為載氣，并通入碳源氣體，對襯底表面進(jìn)行碳化；在外延爐中通入H2氣體為載氣，通入硅源氣體、碳源氣體及摻雜氣體，并在高溫下反應(yīng)生成3C碳化硅。本發(fā)明相比于傳統(tǒng)的4H碳化硅同質(zhì)外延，在外延生長前預(yù)先在硅襯底上形成應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，降低了外延生長過程中由于晶格失配及熱膨脹失配帶來的缺陷、孔洞和碎片等問題。