半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011459879.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112582366A | 公開（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112582366A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-30 |
| 分類號(hào) | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 霍炎;涂旭峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 矽磐微電子（重慶）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 武娜 |
| 地址 | 401331重慶市沙坪壩區(qū)西永大道25號(hào)C棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。本申請(qǐng)中，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括待封裝裸片、第一絕緣層、布線層、限位結(jié)構(gòu)與錫球，待封裝裸片包括相對(duì)的正面與背面；待封裝裸片的正面設(shè)置有焊墊；第一絕緣層位于待封裝裸片的正面，第一絕緣層包括第一開口以暴露焊墊；布線層位于第一絕緣層遠(yuǎn)離待封裝裸片的一側(cè)，布線層通過第一開口與焊墊電連接；限位結(jié)構(gòu)位于布線層遠(yuǎn)離待封裝裸片的一側(cè)，限位結(jié)構(gòu)包括容納空間；錫球位于限位結(jié)構(gòu)的容納空間中，并與布線層電連接。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，可以防止植球時(shí)錫球的位置偏移，提高半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。?? |
