半導(dǎo)體封裝方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910935298.8 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112582282A 公開(公告)日 2021-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112582282A 申請(qǐng)公布日 2021-03-30
分類號(hào) H01L21/56(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周輝星 申請(qǐng)(專利權(quán))人 矽磐微電子(重慶)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 曾鶯華
地址 401331重慶市沙坪壩區(qū)西永大道25號(hào)C棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體封裝方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體封裝方法包括:在待封裝芯片的正面形成保護(hù)層,保護(hù)層為有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層,有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層包括有機(jī)材料層和分散在有機(jī)材料層中的填料顆粒,填料顆粒為無機(jī)材料;將正面形成有保護(hù)層的待封裝芯片貼裝于載板上,待封裝芯片的正面朝上,背面朝向載板;在載板之上對(duì)待封裝芯片及保護(hù)層進(jìn)行封裝,形成塑封層。本申請(qǐng)利于提升芯片的散熱性能,可保證芯片的持續(xù)高效運(yùn)行以及解決芯片過熱導(dǎo)致的影響壽命問題;進(jìn)一步,通過設(shè)置待封裝芯片的正面的保護(hù)層為有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層,能夠降低封裝工藝難度,提高封裝質(zhì)量,從而保證封裝的成功率及產(chǎn)品的良率。??