半導(dǎo)體封裝方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910936755.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112582283A | 公開(公告)日 | 2021-03-30 |
申請公布號(hào) | CN112582283A | 申請公布日 | 2021-03-30 |
分類號(hào) | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周輝星 | 申請(專利權(quán))人 | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 曾鶯華 |
地址 | 401331重慶市沙坪壩區(qū)西永大道25號(hào)C棟 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體封裝方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體封裝方法包括:在待封裝芯片的正面形成保護(hù)層,保護(hù)層為有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層;將正面形成有保護(hù)層的待封裝芯片貼裝于載板上,待封裝芯片的正面朝上,背面朝向載板;在載板之上對待封裝芯片及保護(hù)層進(jìn)行封裝,形成塑封層。本申請利于提升芯片的散熱性能,可保證芯片的持續(xù)高效運(yùn)行以及解決芯片過熱導(dǎo)致的影響壽命問題;進(jìn)一步,通過設(shè)置待封裝芯片的正面的保護(hù)層為有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層,有機(jī)?無機(jī)復(fù)合材料層兼具有機(jī)材料和無機(jī)材料的特點(diǎn),通過減小待封裝芯片與保護(hù)層的材料學(xué)性質(zhì)之間的差異,能夠降低封裝工藝難度,提高封裝質(zhì)量,從而保證封裝的成功率及產(chǎn)品的良率。?? |
