一種多晶硅硅芯腐蝕的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110084413.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102199773B 公開（公告）日 2013-12-11
申請公布號 CN102199773B 申請公布日 2013-12-11
分類號 C23F1/40(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉崗;周大榮;孫建榮;蔣敏;孫兵;胡成發(fā) 申請（專利權）人 連云港中彩科技有限公司
代理機構 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 代理人 連云港中彩科技有限公司
地址 222000 江蘇省連云港市連云區(qū)連云經(jīng)濟開發(fā)區(qū)板橋工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多晶硅硅芯腐蝕的新方法，按照質(zhì)量百分含量配比如下：氫氧化鈉20~40%、氟化鈉4~6%和次氯酸鈉0.3~0.7%，水50~70%制作腐蝕液，控制腐蝕溫度為50~70℃，硅芯在液體中浸泡時間為3~5分鐘，然后用純水漂洗5~7遍，再用純水煮沸3~5分鐘，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一種新的對多晶硅硅芯進行腐蝕處理，所得硅芯的比較面積達到40~80m－1，大大高于混酸腐蝕的比表面積，本發(fā)明取代傳統(tǒng)使用的氫氟酸和硝酸混酸腐蝕液，提供了一個安全無污染、高效低成本的硅芯腐蝕新工藝；具有環(huán)境污染小、腐蝕成本低、人身無傷害及腐蝕效果好的特點。