一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測(cè)系統(tǒng)及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910499955.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN110600389A 公開(kāi)(公告)日 2019-12-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110600389A 申請(qǐng)公布日 2019-12-20
分類號(hào) H01L21/66(2006.01); H01L21/683(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張家堯; 朱干軍; 徐競(jìng); 陳雄群 申請(qǐng)(專利權(quán))人 義烏臻格科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥市上嘉專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 李璐;郭華俊
地址 322009 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路219號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測(cè)系統(tǒng)及其方法,該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置、轉(zhuǎn)移頭、襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)、光學(xué)探測(cè)器,襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)依次排列于所述轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置的同一側(cè),轉(zhuǎn)移頭固定安裝于轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置上,光學(xué)探測(cè)器位于檢測(cè)電路基板的正下方。該方法包括以下步驟:S1放置芯片陣列;S2負(fù)壓吸附芯片;S3芯片檢測(cè)就位;S4光電性能檢測(cè);S5芯片轉(zhuǎn)移釋放;S6循環(huán)拾取及檢測(cè)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)微型面發(fā)射光電芯片組在巨量轉(zhuǎn)移過(guò)程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)光電性能的巨量同步檢測(cè),檢測(cè)效率高,適用于微型面發(fā)射光電芯片,如微型LED芯片或小型LED芯片的光電性能巨量檢測(cè)。