一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測系統(tǒng)及其方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910499955.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110600389A | 公開(公告)日 | 2019-12-20 |
申請公布號 | CN110600389A | 申請公布日 | 2019-12-20 |
分類號 | H01L21/66(2006.01); H01L21/683(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張家堯; 朱干軍; 徐競; 陳雄群 | 申請(專利權(quán))人 | 義烏臻格科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 合肥市上嘉專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李璐;郭華俊 |
地址 | 322009 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路219號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測系統(tǒng)及其方法,該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)移驅(qū)動裝置、轉(zhuǎn)移頭、襯底放置臺、檢測電路基板、芯片放置臺、光學(xué)探測器,襯底放置臺、檢測電路基板、芯片放置臺依次排列于所述轉(zhuǎn)移驅(qū)動裝置的同一側(cè),轉(zhuǎn)移頭固定安裝于轉(zhuǎn)移驅(qū)動裝置上,光學(xué)探測器位于檢測電路基板的正下方。該方法包括以下步驟:S1放置芯片陣列;S2負(fù)壓吸附芯片;S3芯片檢測就位;S4光電性能檢測;S5芯片轉(zhuǎn)移釋放;S6循環(huán)拾取及檢測。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)微型面發(fā)射光電芯片組在巨量轉(zhuǎn)移過程中同時實(shí)現(xiàn)光電性能的巨量同步檢測,檢測效率高,適用于微型面發(fā)射光電芯片,如微型LED芯片或小型LED芯片的光電性能巨量檢測。 |
