一種改善RRAM隨機(jī)性的阻變存儲(chǔ)單元及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111131696.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113948637A 公開（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113948637A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳祖恒;彭春雨;藺智挺;代月花;吳秀龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥市微電子研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立明;李闖
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)九龍路111號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善RRAM隨機(jī)性的阻變存儲(chǔ)單元及其制備方法，該阻變存儲(chǔ)單元包括下電極、阻變層和上電極，在下電極與阻變層之間和/或在阻變層與上電極之間設(shè)有復(fù)合增強(qiáng)層；所述復(fù)合增強(qiáng)層由電場(chǎng)增強(qiáng)層和熱阻擋層組成；所述復(fù)合增強(qiáng)層的一部分區(qū)域?yàn)殡妶?chǎng)增強(qiáng)層，其余區(qū)域?yàn)闊嶙钃鯇樱划?dāng)在下電極與阻變層之間設(shè)有所述復(fù)合增強(qiáng)層時(shí)，所述電場(chǎng)增強(qiáng)層連通所述下電極和所述阻變層；當(dāng)在阻變層與上電極之間設(shè)有所述復(fù)合增強(qiáng)層時(shí)，所述電場(chǎng)增強(qiáng)層連通所述阻變層和所述上電極。本發(fā)明解決了與阻變存儲(chǔ)單元導(dǎo)電通路形成和斷裂強(qiáng)烈相關(guān)的電場(chǎng)和焦耳熱的隨機(jī)性問題，使導(dǎo)電通路的形成與斷裂只發(fā)生在特定的區(qū)域，有效改善了阻變存儲(chǔ)器單元的隨機(jī)性問題。