一種14T抗輻照SRAM存儲單元電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111010201.6 申請日 -
公開(公告)號 CN113764009A 公開(公告)日 2021-12-07
申請公布號 CN113764009A 申請公布日 2021-12-07
分類號 G11C7/12(2006.01)I;G11C8/08(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 趙強(qiáng);董漢文;呂盼稂;朱志國;彭春雨;盧文娟;吳秀龍;藺智挺;陳軍寧 申請(專利權(quán))人 合肥市微電子研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立明;陳亮
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)九龍路111號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種14T抗輻照SRAM存儲單元電路,PMOS晶體管P1和P2交叉耦合,且PMOS晶體管P1、P2作為上拉管,NMOS晶體管N3、N4和PMOS晶體管P5、P6作為下拉管;NMOS晶體管N1和PMOS晶體管P3構(gòu)成一個反相器,NMOS晶體管N2和PMOS晶體管P4構(gòu)成另一個反相器,且兩個反相器交叉耦合;兩個主存儲節(jié)點(diǎn)Q與QN通過兩個NMOS晶體管N5和N6分別與位線BL和BLB相連;兩個冗余存儲節(jié)點(diǎn)S0與S1通過兩個PMOS晶體管P7與P8分別與位線BL和BLB相連。上述電路能夠在犧牲較小單元面積的情況下大幅度提高單元的速度,并降低單元功耗和提高單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)的能力。