一種能區(qū)分阻態(tài)交叉的10T4R單元電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110845112.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113658627A 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN113658627A 申請公布日 2021-11-16
分類號 G11C16/04（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 藺智挺;李星瑋;吳秀龍;朱志國;彭春雨;盧文娟;趙強;陳軍寧 申請（專利權(quán)）人 合肥市微電子研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立明;陳亮
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)九龍路111號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能區(qū)分阻態(tài)交叉的10T4R單元電路，包括10個NMOS晶體管；以及4個阻變隨機存儲器RRAM，分別為RRAM1、RRAM2、RRAM3、RRAM4，RRAM1和RRAM4的擺放方向相同，頂部電極朝左；RRAM2和RRAM3的擺放方向相同，頂部電極朝右；且所述電路采用反向編碼方式，具體來說：頂部電極朝左的高阻態(tài)代表“0”，低阻態(tài)代表“1”；頂部電極朝右的高阻態(tài)代表“1”，低阻態(tài)代表“0”；通過所采用的反向編碼方式和4個RRAM的串并聯(lián)切換，消除阻態(tài)交叉對電路產(chǎn)生的影響，實現(xiàn)“與”、“或”和“異或”的布爾邏輯運算和三態(tài)尋址操作，并有效提高計算準確性。