集成電路FinFET復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)描述文件的生成方法和系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210010288.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114021505A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114021505A 申請公布日 2022-02-08
分類號 G06F30/31（2020.01）I;G06F30/39（2020.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 馬勝軍;孫玕;袁鵬飛;孫延輝 申請（專利權(quán)）人 青島展誠科技有限公司
代理機構(gòu) 青島恒昇眾力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇友娟
地址 266000山東省青島市市南區(qū)山東路39號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域，特別提供了一種集成電路FinFET復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)描述文件的生成方法和系統(tǒng)，具體包括以下步驟：獲取集成電路物理版圖信息，版圖信息只包含平面二維數(shù)據(jù)；獲取FinFET的工藝參數(shù)，包括柵極溝道的具體深度參數(shù)、源漏極Fin結(jié)構(gòu)的具體參數(shù)；根據(jù)得到的具體參數(shù)生成描述FinFET結(jié)構(gòu)的描述文件，描述文件主要包括柵極溝道結(jié)構(gòu)和源漏極Fin結(jié)構(gòu)；結(jié)合三維描述語言得到完整的版圖三維結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在保證結(jié)構(gòu)精準的前提下更簡潔，更高效的生成復(fù)雜結(jié)構(gòu)，省略了復(fù)雜的層生成過程，更貼合芯片的生產(chǎn)過程。