方筒形柵內(nèi)嵌U形溝道場效應(yīng)晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711050846.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107833926B 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN107833926B 申請公布日 2020-08-07
分類號 H01L29/786;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉溪;夏正亮;靳曉詩 申請（專利權(quán)）人 蚌埠弘景科技有限公司
代理機構(gòu) 沈陽智龍專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋鐵軍
地址 350800 福建省福州市閩清縣白樟鎮(zhèn)白洋村中心路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及高集成度方筒形柵內(nèi)嵌U形溝道場效應(yīng)晶體管及其制造方法。在U形單晶硅所形成的凹槽內(nèi)部，僅需填充絕緣介質(zhì)以實現(xiàn)兩側(cè)垂直溝道的彼此隔離，在凹槽內(nèi)部無需引入用于生成柵電極的金屬材料或者多晶硅材料，凹槽內(nèi)部結(jié)構(gòu)相對簡單，可實現(xiàn)傳統(tǒng)意義上物理柵電極長度僅有1納米的，即源電極和漏電極之間的間距僅有1納米的高集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明采用方筒形柵電極，在U形單晶硅所形成的凹槽內(nèi)部不引入柵電極的前提下，保證了柵電極對U形單晶硅溝道的控制能力，即提高集成度的同時保證了柵電極對溝道的控制能力。因此適用于推廣應(yīng)用。