一種括號(hào)形柵控源漏阻變式雙向開關(guān)晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711050924.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107785437B 公開（公告）日 2020-05-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN107785437B 申請(qǐng)公布日 2020-05-29
分類號(hào) H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉溪;夏正亮;靳曉詩(shī) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蚌埠弘景科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽(yáng)智龍專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋鐵軍
地址 350800 福建省福州市閩清縣白中鎮(zhèn)白金路3號(hào)陶瓷科技孵化器2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種括號(hào)形柵控源漏阻變式雙向開關(guān)晶體管及其制造方法，本發(fā)明所述器件具有括號(hào)柵極和左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)特征，具有較強(qiáng)的柵極控制能力并且可以通過調(diào)節(jié)源漏可互換電極電壓控制金屬源漏可互換區(qū)作為源區(qū)或漏區(qū)，改變隧穿電流方向。本發(fā)明具有低靜態(tài)功耗和反向泄漏電流、較強(qiáng)的柵極控制能力、低亞閾值擺幅和可實(shí)現(xiàn)雙向開關(guān)功能的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效應(yīng)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)秀的開關(guān)特性；對(duì)比于普通的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，本發(fā)明具有普通的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管所不具備的源漏可互換的雙向?qū)ΨQ開關(guān)特性，因此適合推廣應(yīng)用。