H形柵控源漏阻變式導(dǎo)電類型可調(diào)型晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711050861.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107819028B 公開（公告）日 2019-11-22
申請公布號 CN107819028B 申請公布日 2019-11-22
分類號 H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 靳曉詩;高云翔;劉溪 申請（專利權(quán)）人 蚌埠弘景科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽智龍專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋鐵軍
地址 350800 福建省福州市閩清縣白中鎮(zhèn)白金路3號陶瓷科技孵化器2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種H形柵控源漏阻變式導(dǎo)電類型可調(diào)型晶體管及其制造方法，本發(fā)明所述晶體管具有H形柵電極、導(dǎo)電類型調(diào)控柵和左右對稱的結(jié)構(gòu)特征，本發(fā)明所述器件具有可實(shí)現(xiàn)P型導(dǎo)電類型與N型導(dǎo)電類型可自由切換功能和雙向開關(guān)功能。具有低靜態(tài)功耗、低反向泄漏電流、較強(qiáng)柵極控制能力和低亞閾值擺幅的優(yōu)點(diǎn)。對比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基勢壘隧穿效應(yīng)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)秀的亞閾值特性和開關(guān)特性，降低晶體管的靜態(tài)功耗；對比于普通的隧穿場效應(yīng)晶體管，本發(fā)明具有普通的隧穿場效應(yīng)晶體管所不具備的源漏對稱可互換的雙向開關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)了各種現(xiàn)有晶體管技術(shù)所無法實(shí)現(xiàn)的P型導(dǎo)電類型與N型導(dǎo)電類型可自由調(diào)控功能，因此適合推廣應(yīng)用。