H形柵控源漏阻變式導(dǎo)電類(lèi)型可調(diào)型晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711050861.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107819028B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107819028B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 靳曉詩(shī);高云翔;劉溪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蚌埠弘景科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽(yáng)智龍專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宋鐵軍 |
| 地址 | 350800 福建省福州市閩清縣白中鎮(zhèn)白金路3號(hào)陶瓷科技孵化器2號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種H形柵控源漏阻變式導(dǎo)電類(lèi)型可調(diào)型晶體管及其制造方法，本發(fā)明所述晶體管具有H形柵電極、導(dǎo)電類(lèi)型調(diào)控柵和左右對(duì)稱(chēng)的結(jié)構(gòu)特征，本發(fā)明所述器件具有可實(shí)現(xiàn)P型導(dǎo)電類(lèi)型與N型導(dǎo)電類(lèi)型可自由切換功能和雙向開(kāi)關(guān)功能。具有低靜態(tài)功耗、低反向泄漏電流、較強(qiáng)柵極控制能力和低亞閾值擺幅的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基勢(shì)壘隧穿效應(yīng)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)秀的亞閾值特性和開(kāi)關(guān)特性，降低晶體管的靜態(tài)功耗；對(duì)比于普通的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，本發(fā)明具有普通的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管所不具備的源漏對(duì)稱(chēng)可互換的雙向開(kāi)關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)了各種現(xiàn)有晶體管技術(shù)所無(wú)法實(shí)現(xiàn)的P型導(dǎo)電類(lèi)型與N型導(dǎo)電類(lèi)型可自由調(diào)控功能，因此適合推廣應(yīng)用。 |
